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晶體生長
半導體晶圓是從半導體單晶的晶棒上切割下來的，這種晶棒是給多晶硅一定的定向和適量的摻雜而成，通常有三種晶體生長的獲取方法：直拉法（cz），液體掩蓋直拉法和區熔法。
直拉法：
絕大多數的晶棒都是通過直拉法生長出來的，如下圖所示。該種設備有一個石英（氧化硅）坩堝，由帶有射頻（RF）波的線圈環繞在其周圍來加熱，或由電流加熱器來加熱。坩堝里面裝著的都是熔融的硅（多晶體結構），通過籽晶剛剛接觸到液面上時開始生長。然后籽晶緩慢的轉動和上升，籽晶和熔融物間的表面張力使得一層熔融物的薄膜附著到籽晶上然后冷卻。在這個冷卻的過程中，熔融的半導體材料的院子定向到籽晶一樣的晶體結構。就這樣一點一點的結構一樣的生產成為一個晶棒出來。
直拉法晶體生長系統
為了試驗均勻摻雜，完美晶體和直徑控制，籽晶和坩堝（伴隨著拉速）在整個晶體生長過程中以相反的方向旋轉。并且在工藝控制中有著一套十分精密且復雜的反饋控制系統，并且還綜合了轉速，拉速及溫度控制等各種參數的精密控制。通常一根200mm的晶棒重量高達168kg（450磅），一般需要72小時（三天）時間來生長。
晶棒做好后還需要各種檢測確定晶體有沒有錯位，滑移和缺失等各種因素。后續就進行下一步拋光和磨滾定向來告訴下一個工藝步驟晶面是哪一面。所以這就是我們會在晶圓上看到的一個小槽。


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